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光刻是通過(guò)特定的生產(chǎn)步驟，將晶圓表面薄膜的特定部分去除的工藝，需要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對(duì)準(zhǔn)曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕、檢測(cè)的等多道工序。光刻掩膜版類似于相機(jī)曝光后的底片，應(yīng)用于對(duì)集成電路進(jìn)行投影定位。光掩膜版的制作有專門的制版設(shè)備，一般都是用激光直寫光刻設(shè)備做出來(lái)的。